测试流程制定
如前文所述，单次测量光伏组件IV特性曲线，需同时测量其工作条件下的太阳辐照度，组件温度及环境温度。
参照IEC 60904-1中相关内容，制定了光伏组件户外测试流程，步骤如下：
1）同步测量环境中太阳辐照度，组件温度及环境气温，并记录数据；
2）测量光伏组件开路电压VOC及短路电流ISC,计算近似大功率点处电压Vapp =0.8VOC,计算恒压模式下测量点数NCV；
3）计算电压变化步长ΔV =Vapp/NCV,设置可编程电子负载为恒压工作模式，以步长ΔV 依次测量IV特性曲线上各点；
4）当NCV个点测量完成，此时光伏组件工作电压为Vapp ,测量相应的工作电流Iapp ,由Iapp 计算恒流模式下测量点数NCC；
5）计算电流变化步长ΔI=Iapp/NCC,设置可编程电子负载为恒流工作模式，以步长ΔI 从当前工作点继续扫描IV特性曲线，直至剩余点测量完成；
芯片的背部减薄制程
1. Grinding制程：
对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。
目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。
2. Lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。
一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。
除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。
虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。
此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。
蓝宝石衬底晶片是LED产业链的环节，以往这种产品的制造技术被国外公司垄断。
目前，国产显示、通讯、照明等器材上使用的LED衬底晶片基本上依赖进口。
国内只能出口蓝宝石晶体或到海外，加工成衬底材料后再返销国内。
受益于下游led芯片需求旺盛，继3月调价后，近期2英寸蓝宝石衬底从4美元涨至7美元，4英寸蓝宝石衬底从30美元涨至35美元。
业内认为，蓝宝石应用逐步扩大有助价格延续涨势。
拟在A股上市的玻璃盖板厂商蓝思科技新披露招股书显示，将投入18亿元用于蓝宝石扩产，由于产能远超过iPhone需求，市场推断公司将生产手机用蓝宝石盖板等，并供应给非苹果阵营手机。
业内认为，led照明应用暴发叠加蓝宝石手机盖板渗透率提升，蓝宝石长晶及相关设备需求将大幅提升甚至出现供应缺口。
国内公司中，天通股份拥有自主研发的大尺寸长晶炉设备，形成了从长晶、掏棒、切磨抛的完整产业链；大族激光即将向苹果提供首批激光切割机，未来有望占据手机蓝宝石切割70%-80%市场份额。
