用于桥接和开关和二极管
另一个值得探讨的选择是采用FGH30N60LSD器件。
它是一颗饱和电压VCE(SAT) 只有1.1V的30A/600V IGBT。
其关断损耗EOFF非常高，达10mJ ，故只适合于低频转换。
一个50毫欧的MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON) 为100毫欧。
因此在11A时，具有和IGBT的VCE(SAT) 相同的VDS。
由于这种IGBT基于较旧的击穿技术，VCE(SAT) 随温度的变化不大。
因此，这种IGBT可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。
FGH30N60LSD IGBT在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。
IGBT在这里被用作拓扑开关。
在较快速的转换时则使用常规及快速恢复超结器件。
对于1200V的拓扑及全桥结构，前面提到的FGL40N120AND是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。
当技术需要二极管时，Stealth II、Hyperfast? II 二极管及碳硅二极管是很好的解决方案。
逆变器把直流电转换为交流电的效率，目前，欧洲逆变器效率普遍较高，可达到97.2%。
5、启动性能
启动性能是指逆变器带负载启动的能力和动态工作的性能。
逆变器在额定负级下应能保证其正常启动。
一般电阻性负载工作时，逆 变器启动性能较好。
但如果是电感性负载，镀金液回收，如电动机、冰箱、空调或大功率水泵启动时，功率可能是额定功率的几倍以上。
通常感性负载启动时，逆变器将承受较大的浪涌功率。
故逆变器的启动性能 要求在感性或其他负载启动时，逆变器内部器件能承受多次满负荷启动而不致使功率器件损坏。
正弦波逆变器：输出的是与日常使用电网一样的正弦波交流电，提供高质量的交流电，能够带动任何种类的负载，但技术要求和成本均高。
方波逆变器：输出的是质量较差的方波交流电，对负载和逆变器本身会造成剧烈的不稳定影响。
制作采用简易的多谐振荡器，其技术属于50年代的水 平，将逐渐退出市场。
准正弦波逆变器（属于方波范畴） ：输出波形从正向大值到负向大值之间有一个时间间隔，波形由折线组成，连续性不好，但可满足我们大部分的用电需求，噪音小，售价适中，因而成
为市场中的主品。
有源逆变器：使电流电路中的电流，在交流侧与电网连接而不直接接入负载的逆变器
无源逆变器：使电流电路中的电流，在交流侧不与电网连接 而直接接入负载(即把直流电逆变为某一频率或可调频率的交流电供给负载)的逆变器。
