太阳能发电的原理是什么
在太阳光的照射下，将太阳电池元件产生的电能通过控制器的控制给蓄电池充电或者在满足负载需求的情况下直接给负载供电，如果日照不足或者在夜间则由蓄电池在控制器的控制下给直流负载供电，对于含有交流负载的太阳能发电系统而言，还需要增加逆变器将直流电转换成交流电。
太阳能发电是利用太阳能电池方阵将太阳能辐射能转换为电能的光电技术来工作的。
太阳能发电按照运行方式可分为并网光伏发电和离网光伏发电。
当电路工作异常，MOS功率管VT2或VT4的温升大幅提高，热敏电阻Rt的阻值超过约4kΩ时，IC1内部比较器1的输出将由低电平翻转为高电平，IC1的3脚也随即翻转为高电平状态，致使芯片内部的PWM 比较器、“或”门以及“或非”门的输出均发生翻转，输出级三极管VT1和三极管VT2均转为截止状态。
当IC1内的两只功率输出管截止时，图1电路中的VT1、VT3将因基极为低电平而饱和导通，VT1、VT3导通后，功率管VT2和VT4将因栅极无正偏压而处于截止状态，逆变电源电路停止工作。
IC1的1脚外围电路的VDZ1、R5、VD1、C2、R6构成12V输入电源过压保护电路，稳压管VDZ1的稳压值决定了保护电路的启动门限电压值，VD1、C2、R6还组成保护状态维持电路，只要发生瞬间的输入电源过压现象，保护电路就会启动并维持一段时间，以确保后级功率输出管的安全。
考虑到汽车行驶过程中电瓶电压的正常变化幅度大小，通常将稳压管VDZ1的稳压值选为15V或16V较为合适。
超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。
为了要显示它们的耐用性，这些功率器件也经过****钳位电感负载测试。
与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。
因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。
标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。
所以，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。
因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。
基于这些考虑，标准速度IGBT IRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。
一个第四代IGBT与超高速软恢复反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。
在10A下的典型Vce(on)为1.4V。
针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到低。
