由于单个MOSFET可耗散的功率有限，因此选用了8路MOSFET并联的结构，对光伏组件的输出电流分流，二手旧银浆回收，并将8个MOSFET均匀固定在散热片上，避个MOSFET因功率过大而烧毁。
对各个MOSFET分别采用上述的子控制电路，使得各MOSFET 工作状态大致相同，回收报废银浆，减小不同MOSFET工作温度差。
后将8路差分放大的电流信号通过加法电路叠加成总电流信号，采用外围反馈电路使总电流信号与DAC模块给定的控制信号比较，同时将输出信号接入各MOSFET控制电路中，形成外围反馈控制。

2．电解盐水腐蚀法

(1)取一只容量合适的耐腐蚀容器，加入一汤匙和适量的水，以能够完全淹没需腐蚀的敷铜板为准。

(2)在敷铜板上的铜箔部分任意处焊上一截20cm左右长度的焊锡丝作为电解的正电极引线(因为铜导线作电极引线会被腐蚀掉)。
如果敷铜板上的铜箔被线路分割为若干部分，则应从每个铜箔部分焊出一条焊锡丝，再将这些焊锡丝连接在一起作为正电极引线。

(3)取一2cm×3cm左右的铜片作为电解的负极板，并焊上一截导线作为负电极引线。

(4)将敷铜板和负极板放入盐水中，注意敷铜板和负极板不能相碰。
正、负电极引线接至可调直流电源，如下图所示。
从低到高逐渐调高电源电压，当负极板上有水泡产生，敷铜板铜箔部分有黄绿色絮状物(氧化铜)产生，表示电解腐蚀已经开始。

(5)电解腐蚀完毕，及时取出敷铜板并冲洗干净即可。

3，  醇铝水解法即为异丙醇铝法。
宣城有一家是用的这种方法，目前日本和美国也主要采取这种工艺生产高纯度氧化铝，产品纯度高达到5个9，主要用于LED蓝宝石长晶行业。
这种工艺比较复杂，国内能掌握此技术的很少。
和直接水解法相比，这种工艺的主要优点是：

1）高纯铝和醇类反应充分，不需要加工成粉末，中卫银浆，避免加工过程中带入Fe，Ti等杂质引入。

2）可以再次提纯，回收二手银浆，反应得到的异丙醇铝可以在230-250度下8级塔板精馏，以气态的形式收集高纯异丙醇铝，铁、钛、镍、锆、铅、镁等金属杂质不会气化，留在釜底。
冷凝下来的高纯异丙醇铝还可以再次用陶瓷膜分离，游离金属杂质钾，钠，锌等都被除去。

3）粉体在净化室内5n氮气氛围下煅烧减少了污染。

4）块体采用1000吨预压，再等静压，密度可以达到3.7。