当电路工作异常，MOS功率管VT2或VT4的温升大幅提高，热敏电阻Rt的阻值超过约4kΩ时，IC1内部比较器1的输出将由低电平翻转为高电平，IC1的3脚也随即翻转为高电平状态，致使芯片内部的PWM 比较器、“或”门以及“或非”门的输出均发生翻转，输出级三极管VT1和三极管VT2均转为截止状态。
当IC1内的两只功率输出管截止时，图1电路中的VT1、VT3将因基极为低电平而饱和导通，VT1、VT3导通后，功率管VT2和VT4将因栅极无正偏压而处于截止状态，逆变电源电路停止工作。
IC1的1脚外围电路的VDZ1、R5、VD1、C2、R6构成12V输入电源过压保护电路，稳压管VDZ1的稳压值决定了保护电路的启动门限电压值，VD1、C2、R6还组成保护状态维持电路，只要发生瞬间的输入电源过压现象，保护电路就会启动并维持一段时间，以确保后级功率输出管的安全。
考虑到汽车行驶过程中电瓶电压的正常变化幅度大小，通常将稳压管VDZ1的稳压值选为15V或16V较为合适。
用于升压级的开关和二极管
图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。
升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。
此外，专门为低频 (100Hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。
对于任何特定的硅技术，针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。
升压级一般设计为连续电流模式转换器。
根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选择使用600V还是1200V的器件。
功率开关的两个选择是MOSFET和 IGBT。
一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的开关频率下。
此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式二极管不导通。
MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算，对于给定的MOSFET系列，这与有效裸片面积成比例关系。
当额定电压从600V 变化到1200V时，MOSFET的传导损耗会大大增加，因此，即使额定RDS(ON) 相当，1200V的 MOSFET也不可用或是价格太高。
随着并网逆变器生产企业对防孤岛试验检测装置的大量需求，市场上已出现一些不法商贩，将交流电源老化用的RLC负载，当作精密RLC负载销售，以次充好谋取暴利。
主要表现为：所销售的是三无产品---无认证证书、无计量检测报告、无的老化负载，这些公司一定会要求客户先付款再发货，产品无法通过金太阳认证标准验收时，主动权已经不在用户手上了。
根据光伏并网逆变器金太阳认证新标准CNCA/CTS A规定，要求出厂试验检测项目(包括防孤岛效应保护试验等共11个项目)，都必须配备相应检测设备，否则无法获得金太阳认证。
2012年2月，中国、科技部及国家能源局联合发布了《关于做好2012年金太阳工作的通知》。
根据通知要求，对金太阳工程所采用的光伏逆变器的生产企业资质要求作出明确规定：“附件1---金太阳工程关键设备基本要求(2012年)(二)生产企业资质要求：1、在中华人民共和国注册的独立法人，注册资本金在3000万元以上。
2、具有三年以上独立生产、供应和售后服务的能力，2011年实际发货量不低于50MWp(以海关报关单或销售为准)。
3、配备直流源、功率分析仪、示波器、电能质量分析仪、绝缘耐压测试仪、残余电流测试仪、漏电流测试仪、精密RLC可调负载等出厂检验设备”。
