2、额定输出容量
额定输出容是用来表征逆变器向负级供电的能力。
额定输出容值高，则逆变器带负载能力越强。
额定输出容量值只是针对 纯电阻性负载的一个参考，如果逆变器所带的负载不为纯限性时，逆变器带负载能力将小于给出的额定输出容量值。
3、输出电压稳定度
输出电压稳定度是指逆变器输出电压的稳定能力。
逆变器中一般会给出输入直流电压在允许波动范围内逆变器输出电压的偏 差(通常称为电压调整率)，的逆 变器一般还会给出负载由。
0%变化至****时，逆变器输出电压的电压偏差(通常称为负载调整率)。
标称电压通常指的是开路输出电压，梅花镍回收公司，也就是不接任何负 载，没有电流愉出的电压值。
独立太阳能光伏系统中，蓄电池端电压在充放电时电压波动很大，铅酸蓄电池电压波动可达标称电压的30%左右，所以逆变器要有良 好的输出电压稳定度，才能保证系统在较大直流输入范围内工作。
单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，银触点回收厂家，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。
如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如在力学性质、电学性质等方面，河北回收，多晶硅均不如单晶硅。
多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。
单晶硅可算得上是世界上纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。
大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。
目
前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。
单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。
由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。
其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。
除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，银触点回收价格，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deiTIon）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
