工艺实现

为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻，硅腐蚀。V 形槽条纹这一目标，需要三步工艺：氧化，光图 1 硅单晶晶体结构。

在本文中用（ 100）双面抛光硅片来叙述，图 2 中 V 型槽的两个斜面为 (111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面（ 111）与地面（ 100）夹角 54.736°。当腐蚀的时候，从（ 100）硅片上沿着（ 110）方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子，从而暴露出倾角为 54.736°的（ 111）面，双面进行就会形成 V 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向异性，硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 2 所示的硅片 V 型槽。同时，组件商近两年已加大在海外建厂的力度，进一步将“双反”影响降低。将硅单晶体按（ 100）方向切成所需大小的硅片。

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    先前，新加坡振鑫控股于7月10日举办的2014年第三次股东大会决议决议根据了《有关变更公司名称的提案》，企业中文名字由原“新加坡振鑫控股”变更为新加坡振鑫控股苏州市有限责任公司”。前不久，企业进行了工商注册变更办理手续，并换了新的公人企业营业执照。针对改名缘故公示称，由于企业发展的必须，为使公司名称和证劵通称更能反映企业的发展战略和建设规划，在品牌文化建设、市场开拓等层面充分发挥的效应，故决策对公司名称及证劵通称开展变更客户需寻找自己电度表，看是单相电表還是三相表就能分辨容许报装容积。总之，安装光伏电站前期一定要进行考察，选择靠谱品牌和安装商，产品和售后服务有保证，才能保障你可以获得长期稳定的收益。

硅基片表面的氨基化处理

    取出 氨化烧杯（ 专用 ），回收二手组件， 先用无水乙醇清洗 2 次， 然后倒入 20ml 无水乙醇，将步骤（ 2）反应后的获得的羟基化硅片转移到氨化烧杯中，用无水乙醇清洗 3 次。清洗时同步骤（2） ，使硅片处于乙醇环境中；清洗完成后倒掉乙醇，迅速加入 3-氨基丙基三乙氧基硅烷（ APTES）和无水乙醇的混合液（体积比为 1： 15），或者先加 15ml 无水乙醇，然后用移液管加 1mlAPTES，摇床上振摇反应 2 h。该反应结束后可以使硅片表面氨基化。后者与可再生能源（风电、光伏）进行配套，作为峰值电站参与调峰。

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